ICP-RIE plasma etcher SI 500
Utiliza um plasma de acoplamento indutivo com iões de baixa potência para o registo, minimizando os danos em estruturas nano.
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Registo com poucos danos
Graças aos iões de baixa potência utilizados e à estreita distribuição de potência de iões é possível realizar registos com danos mínimos nos nossos equipamentos ICP de registo por plasma.
Registos a alta velocidade
Alta taxa de corrosão por plasma de Si para MEMS com alta relação de aspecto é facilmente conseguida quer pela utilização de processos alternados à temperatura ambiente, quer por processos criogénicos para paredes laterais lisas.
Fonte de plasma "inhouse" ICP
A fonte baseada numa antena espiral plana (PTSA) é uma característica única dos sistemas de processamento de plasma de gama alta da SENTECH. A fonte PTSA gera plasma homogéneo com alta densidade de iões e baixo consumo de energia de iões. Tem uma grande eficiência de acoplamento e um comportamento ignição muito bom para o processamento de uma grande variedade de materiais e estruturas.
Controlo dinâmico da temperatura
Os critérios para um registo de alta qualidade são o ajuste da temperatura do substrato e a estabilidade durante os processos de registo de plasma. O eléctrodo do substrato do ICP com controlo dinâmico de temperatura em combinação com o arrefecimento no "backside" e a detecção de temperatura, oferece excelentes condições de processamento num vasto intervalo de temperaturas, desde -150°C até 400ºC.