Registo assistido por plasma (RIE/ICP) e ALD
O registo por plasma (RIE/ICP) é utilizado para eliminar uma parte do substrato superficial segundo um padrão estabelecido.
A parte do substrato que não se quer eliminar é coberta com um material resistente à acção do plasma. Todo o substrato exposto ao plasma será eliminado.
Para se conseguir isto, é introduzido na câmara um gás quimicamente activo e é dirigido para o substrato um elevado fluxo de iões reactivos de alta potência que se encarregam de realizar a erosão da superfície das zonas que não estão protegidas. O material é eliminado para fora da câmara através de aspiração. Esta tecnologia permite realizar estruturas de tamanho nanométrico.
Produtos de esta categoria
ICP-RIE plasma etcher SI 500
Utiliza um plasma de acoplamento indutivo com iões de baixa potência para o registo, minimizando os danos em estruturas nano.
RIE plasma etcher Etchlab 200
Tem a vantagem de dispor de carga directa e eficaz para RIE. Permite o carregamento de amostras para um processamento fácil e rápido. É um equipamento modular, flexível e ocupa pouco espaço.
RIE plasma etcher SI591 compact
Para uma grande variedade de processos reproduzíveis com base em cloro e flúor com bloqueio de carregamento a vácuo e através de um processamento totalmente controlado por computador. De pequenas dimensões e design flexível para RIE.
